揭密量子芯，映泰TPOWER I55率先启用供电新技术

1、 双面散热铜外壳

DirectFET量子芯硅片被装入铜外壳，封装的底部是经特殊设计的芯片，直接焊到PCB板的表贴焊盘，铜外壳结构提供高效的双面散热。

1、 散热效率快2.5倍

Direct FET采用独有的结构和用料，从封装顶部散掉的热量是普通SO8 MOS的两倍半，有效的顶部散热意味器件散发出的热量可以被带离线路板，增加元器件安全工作的电流值。

1、 废热损耗减少8倍

普通的MOSFET使用引线键合来实现硅片和管脚框架之间的电连接，而DirectFET，将接触面的数目和传导路径的长度减到最小从而减小了传导损耗。 DirectFET封装提供了最优良的封装阻抗，仅为普通MOS损耗1/8左右,减少废热产生。

4、供电性能1个顶2.5个

满足极限超频供电18A高电流需要，用最好的单面散热的SO8封装MOSFET，每相要用五只，采用双面散热的DirectFET贴片MOS管只需两只。